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semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN
Transistor equivalente a NTE2392
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incluyendo correcciones para los años bisiestos
Material base: Aluminio reforzado
Inductancia Bobina Axial Tipo Resistencia 47uH - 1/4W Lectura y Escritura uSD - SD semiconductor bipolar de alta potenciaInductancia Bobina Axial Tipo Resistencia 47uH 1 4W, ampliamente utilizada en Telecomunicaciones, instrumentos musicales, amplificadores, instrumentacion medica, entre otros muchos usos. Principales Caractersticas: Modelo del Inductor: 0307 (0. 25W) Inductancia: 47 uH (MicroHenrio) Corriente Mxima: 205 mA Factor de Calidad Mnimo (Q): 50 Frecuencia: 2. 52 MHz Frecuencia de Resonancia Mnima: 8. 5 MHz Resistencia DC mxima: 2. 6 Ohm Tolerancia: 10%
